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（2）探索二维半导体的磁性掺杂，泸州通过Fe掺杂SnS2获得了具有铁磁特性的二维半导体（Nat.Commun.2017,8,1958.），泸州成功将磁性Co元素掺入MoS2形成高质量二维合金（ACSNano2015,9(2),1257-1262.）。研究发现其性能与材料厚度有直接关系，气发千伏当样品厚度约为5.7nm时所得载流子迁移率最高，气发千伏可达59cm2V-1s-1，当样品厚度约为4.6nm时所得开关电流比最高，可达105。

载流子迁移率的温度依赖性研究表明载流子迁移率的峰值出现于230K处，电项低于230K时，电项载流子主要受限于杂质散射的影响，而晶格散射在高温下占主导地位。已经发表SCI论文90多篇，送出以第一或通讯作者发表论文50多篇，其中包括Nat.Commun.;Adv.Mater.;J.Am.Chem.Soc.;ACSNano;Adv.Funct.Mater.等国际知名期刊。而单层B-As是一种间接带隙半导体，工程其带隙值约为1-1.5eV。

项目该研究结果表明少层b-As基FETs是一种有望应用于多功能微纳电子器件的候选材料。此外，核准获批b-As拥有相对良好的环境稳定性，这对其实际应用至关重要。

2015年入选中国科学院百人计划，川投2016年获得优秀青年科学基金。

黑砷（B-As），泸州作为B-P的表亲，其与B-P具有相似的结构构型，预计也应具有优异的物理和化学性能。小编根据常见的材料表征分析分为四个大类，气发千伏材料结构组分表征，材料形貌表征，材料物理化学表征和理论计算分析。

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